Volumes horaires
- CM 9.0
- TD 9.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.5
Objectif(s)
Maîtriser les concepts physiques à l'origine de la croissance cristalline d'objets modèles : monocristaux, films épitaxiés, nanofils, ilôts et boites quantiques.
Connaître les principales techniques d'élaboration des objets étudiés.
Contenu(s)
Chapitre I . Objets et concepts
- Introduction
- I.1. Dimensionnalité et dimensions des objets
- I.2. Les concepts
Chapitre II . Nucléation et croissance
- II.1. Approche qualitative
- II.2. Approche thermodynamique
- II.3. Croissance sur une surface idéale
- II.4. Exemples de croissance
Chapitre III . Les techniques d’élaboration
- Introduction
- III.1. Les techniques physiques d’élaboration
- III.2. Les techniques chimiques d’élaboration
Chapitre IV . Epitaxie et contraintes
- IV.1. Elaboration de structures épitaxiées
- IV.2. La croissance épitaxiale
- IV.3. Caractérisation de structures épitaxiées
Prérequis
- Thermodynamique
- Cristallographie
Contrôle des connaissances
Devoir écrit de 2 h
Informations complémentaires
Cursus ingénieur->PNS->Semestre 9
Cursus ingénieur->Double-Diplômes Ingénieur/Master->Semestre 9
Bibliographie
- Les surfaces solides : concepts et méthodes, S. Andrieu, P. Müller, CNRS Editions – EDP Sciences, Paris (2005)
- Solid surfaces, interfaces and thin films, H. Lüth, Ed. Springer Verlag, Berlin (2001)
- Physique de la croissance cristalline, J. Villain, A. Pimpinelli, Ed. Eyrolles, Paris (1995)