Volumes horaires
- CM 6.0
- TD 6.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.0
Objectif(s)
Connaître les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les capteurs ou les composants de la microélectronique.
Contact Nathalie MATHIEUContenu(s)
- Propriétés élémentaires des semiconducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
- Équation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
- Jonction PN à l'équilibre
- Perturbations faibles de l'équilibre : transport de charges (conduction, mobilité des porteurs, diffusion, effet Hall)
- Perturbations fortes de l'équilibre (génération et recombinaison de porteurs)
Prérequis
Notions de base en :
- Physique quantique
- Physique statistique
- Physique du solide (propriétés électroniques, bandes d'énergie)
Contrôle des connaissances
Devoir surveillé (2h)
Informations complémentaires
Cursus ingénieur->Masters->Semestre 4
Cursus ingénieur->SIM->Semestre 4
Cursus ingénieur->Master SGM Ingénierie Matériaux->Semestre 4
Bibliographie
H. MATHIEU, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
G. STREETMAN and S. BANERJEE, Solid-State Electronic Devices (Prentice Hall, 2005)
S.M. SZE : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002)
U.K. MISHRA and J. SINGH Semiconductor Device Physics and Design (Springer, 2008)