Physique des processus technologiques - 5PMNPPT0

Objectif(s)

L'objectif du cours est de modéliser les phénomènes physiques qui interviennent dans la technologie actuelle de la microélectronique, en se focalisant sur les problèmes impliquant le semiconducteur et les couches formées par réaction à sa surface (SiO2 et siliciures). Les phénomènes sont illustrés dans le cas du silicium, principalement, et de semi-conducteurs «alternatifs» (SiC, GaN, diamant, ...).

Contenu(s)

• Introduction : Principales étapes techno-logiques des circuits actuels. Tendances.
• Diffusion atomique dans les semi conducteurs : historique, auto diffusion, diffusion des dopants.
• Implantation ionique : historique, modèle LSS, application au dopage et au SmartCut, cas des jonctions peu profondes, recuits, TED.
• Formation de couches par réaction chimique. Application à l'oxyde thermique du silicium.