Informations générales
Volumes horaires
- CM 8.0
- Projet 0
- TD 0
- Stage 0
- TP 8.0
- DS 0
Crédits ECTSCrédits ECTS
0.0
Objectif(s)
Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux étapes technologiques pour l'élaboration des circuits intégrés. Le cours magistral donnera les éléments préliminaires nécessaires à la compréhension des étapes technologiques mises en place lors des TPs. Ces dernier comprennent une partie de fabrication et caractérisation de dispositifs en salle blanche et une partie mesure des caractéristiques électriques.
L'élève sera confronté.e avec les contraintes de travail dans une salle blanche et avec les technologies utilisées.
Contenu(s)
Cours : principes, mécanismes et paramètres clé pour chaque étape technologique (oxydation, dépôts, dopage, gravure, lithographie).
Séances de réalisation technologiques : les traitements thermiques ; les dépôts ; le dopage (implantation ionique ou diffusion) ; la lithographie ; la gravure.
Caractérisation électrique : mesures C/V, I/V des composants réalisés.
Prérequis
Physique des dispositifs à semi-conducteur.
Pré requis
- Connaissance des principaux phénomènes de physique des semiconducteurs
- Transistor MOS, jonction PN
Contrôle des connaissances
Pour la partie CM, session 1:
- En présentiel : exam de 30 minutes (Chamillo, dans une salle informatique) sans documents, sans calculettes. Un travail personnel et de groupe doit être validé par chaque étudiant.
- En mode « à distance » : contrôle continu (25% de la note) + travail de groupe (25% de la note CM) + QCM en ligne (50% de la note)
Pour la partie CM, session 2 :
- en présentiel : exam de 30 minutes sans documents, sans calculettes
- à distance : DM + 30 minutes oral en visio
Pour les TPs:
- En présentiel ou distanciel : un rapport à rendre pour la salle blanche, un rapport à rendre pour les séances de caractérisation électrique au plus tard une semaine après les dernières séances respectives.