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Diversité scientifique et technologique
L'école d'ingénieurs de physique, électronique, matériaux
Diversité scientifique et technologique

> Formation

Modélisation électrique des composants actifs intégrés - 3PMRMEC4

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  • Volumes horaires

    • CM : 14.0
    • TD : 14.0
    Crédits ECTS : 1.0

Objectifs

Connaître les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semi-conducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les capteurs ou les composants de la microélectronique.
Comprendre les modèles de base des principaux composants de la microélectronique moderne(transistor MOSFET, capacité MOS, jonction PN...). Connaitre les effets spécifiques dus à la miniaturisation

Contact Panagiota MORFOULI

Contenu

• Propriétés élémentaires des semi-conducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
• Equation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
• Contact métal-semiconducteur, diode Schottky
• Structures MIS (idéale ou réelle), Capacités MOS ; CCD
• Transistors à effet de champ : MOSFET, fonctionnement, modèles et extraction de paramètre.
• Quelques notions sur les transistors JFET, MESFET
• Jonction p-n ; modèles idéal et réel ;



Prérequis

Cours de physique des semiconducteurs

Contrôles des connaissances

Examen Ecrit
Contrôle Continu90% / CC 10%



Examen Ecrit : 90%
Contrôle Continu : 10%

Informations complémentaires

Cursus ingénieur->APPRENTISSAGE MT->Semestre 5

Bibliographie

• Vapaille et R. Castagné : Dispositifs et circuits intégrés (Dunod, 1987)
• H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
• S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).

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mise à jour le 27 juin 2014

Grenoble INP Institut d'ingénierie Univ. Grenoble Alpes