Volumes horaires
- CM 14.0
- Projet 0
- TD 18.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.0
Objectif(s)
Connaître les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semi-conducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les capteurs ou les composants de la microélectronique.
Comprendre les modèles de base des principaux composants de la microélectronique moderne(transistor MOSFET, capacité MOS, jonction PN...). Connaitre les effets spécifiques dus à la miniaturisation
Contenu(s)
• Propriétés élémentaires des semi-conducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
• Equation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
• Contact métal-semiconducteur, diode Schottky
• Structures MIS (idéale ou réelle), Capacités MOS ; CCD
• Transistors à effet de champ : MOSFET, fonctionnement, modèles et extraction de paramètre.
• Quelques notions sur les transistors JFET, MESFET
• Jonction p-n ; modèles idéal et réel ;
Prérequis
Cours de physique des semiconducteurs
Contrôle des connaissances
Examen Ecrit/ 80%
Contrôle Continu/ 20%
(feuille A4 RV manuscrite + calculatrices)
Examen Ecrit/ 80%
Contrôle Continu/ 20%
Bibliographie
• Vapaille et R. Castagné : Dispositifs et circuits intégrés (Dunod, 1987)
• H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
• S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).