Volumes horaires
- CM 12.0
- Projet 0
- TD 8.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
L'étudiant.e sera en mesure de dimensionner des circuits intégrés analogiques (ou la partie analogique de circuits mixtes VLSI). Le modèle EKV pour le transistor MOS sera traité en détail. Les principales structures employées dans les circuits CMOS seront décrites, ainsi que les principes de base nécessaires pour réaliser un circuit fonctionnant et un layout correct.
Contact Davide BUCCIContenu(s)
Dispositifs actifs: Transistor MOS: structures et modalités de fonctionnement, modèles grands et petits signaux, comportement thermique et bruit. Fonctionnement en inversion faible, fabrication et layout.
Dispositifs passifs: condensateurs et résistances intégrés, transistor MOS utilisés comme résistances and pseudo-résistances, diodes et interconnections.
Quelques informations sur les effets parasites.
Compromis dans le dimensionnement des principaux blocs de base analogiques:
a. Amplificateurs à source commune.
b. Paire différentielle.
c. Miroir de courant.
d. Amplificateurs cascode.
Prérequis
Bases de physique des dispositifs à semi-conducteurs. Analyse des circuits analogiques. Modèles et circuits équivalents de grand et de petit signal pour des dispositifs non linéaires.
Semestre 8 - L'examen existe uniquement en anglais
Examen écrit de 2H sans documents ni cours autorisés.
Contrôle continu (test à passer sur Chamilo après chaque séance de cours).
Présentiel :
N1=95%*Exam1+5%*CC
N2=100%*Exam2
Distanciel :
N1=25%*test+70%*Exam1+5%*CC
N2=100%*Exam2
Semestre 8 - Le cours est donné uniquement en anglais
- P. Jespers “The gm/ID design methodology, a sizing tool for low- voltage analog CMOS”, Springer 2009
– B. Razawi “Design of Analog CMOS Integrated Circuits”, McGraw Hill 2001 - Slides and handouts
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