Volumes horaires
- CM 12.0
- Projet 0
- TD 14.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
Comprendre les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique
Contact Nathalie MATHIEU, Irina IONICAContenu(s)
• Structure de bandes dans les semiconducteurs (structures cristallographiques, bandes d'énergie, concept de masse effective, électrons et trous)
• Propriétés des semiconducteurs à l'équilibre (SC intrinsèques et extrinsèques, densités de porteurs, évolution avec la température)
• Applications aux composants à semiconducteurs (transport de charges, conductivité et mobilité, diffusion, exemple de la jonction PN)
Prérequis
Équations différentielles
Bases de physique : cours de physique tronc commun PET-PMP S5
Contrôle des connaissances
Session 1 = CC (10%) + examen écrit (90%)
Session 2 = 100% examen écrit
Modalités pour les examens écrits des sessions 1 et 2 :
Durée : 1h30
Documents autorisés : aucun, formulaire avec le sujet
Calculatrice : autorisée et nécessaire, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
Type d'évaluation : CC = exercices en ligne sur Chamilo
Durée : variable
Informations complémentaires
Cursus ingénieur->1ère année ingénieur PET->Semestre 6
Cursus ingénieur->1ère année ingénieur PMP->Semestre 6
Bibliographie
Henry Mathieu, Hervé Fanet, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques, Editions Dunod, 2009
Christian Ngô, Hélène Ngô, Physique des semiconducteurs, Editions Dunod, 2012
Ben G. Streetman, Sanjay K. Banerjee, Solid state devices, Pearson Prentice Hall, 2014
Simon M. Sze, Kwok K. Ng , Physics of semiconductore devices, Wiley 2006