Volumes horaires
- CM 10.0
- Projet 0
- TD 12.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.5
Objectif(s)
Comprendre les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique
Contact Nathalie MATHIEUContenu(s)
• Structure de bandes dans les semiconducteurs (structures cristallographiques, bandes d'énergie, concept de masse effective, électrons et trous)
• Propriétés des semiconducteurs à l'équilibre (SC intrinsèques et extrinsèques, densités de porteurs, évolution avec la température)
• Applications aux composants à semiconducteurs (transport de charges, conductivité et mobilité, diffusion, exemple de la jonction PN)
Prérequis
- Équations différentielles
- Bases de physique : cours de physique tronc commun PET-PMP S5
Session 1 : Examen final écrit (2h)
Note Session 1 = 100% Examen (formulaire fourni avec le sujet)
Session 2 : Examen écrit (1h30)
Note Session 2 = 100% Examen S2 (formulaire fourni avec le sujet)
Session 1 confinée : Contrôle continu + Examen final (30mn QCM + 1h examen écrit, tous documents autorisés)
Note Session 1 = 20% CC + 80% Examen
Session 2 confinée : Examen écrit 1h30 (surveillance sur ZOOM, tous documents autorisés)
Note Session 2 = 20% CC + 80% Examen
Session 1 : Examen final écrit (2h)
Note Session 1 = 100% Examen (formulaire fourni avec le sujet)
Session 2 : Examen écrit (1h30)
Note Session 2 = 100% Examen Session 2 (formulaire fourni avec le sujet)
Session 1 confinée : Contrôle continu + Examen final (30mn QCM + 1h examen écrit, tous documents autorisés)
Note Session 1 = 20% CC + 80% Examen
Session 2 confinée : Examen écrit 1h30 (surveillance sur ZOOM, tous documents autorisés)
Note Session 2 = 100% Examen Session 2
Henry Mathieu, Hervé Fanet, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques, Editions Dunod, 2009
Christian Ngô, Hélène Ngô, Physique des semiconducteurs, Editions Dunod, 2012
Ben G. Streetman, Sanjay K. Banerjee, Solid state devices, Pearson Prentice Hall, 2014
Simon M. Sze, Kwok K. Ng , Physics of semiconductore devices, Wiley 2006