Volumes horaires
- CM 6.0
- Projet 0
- TD 6.0
- Stage 0
- TP 0
- DS 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 0.5
Objectif(s)
L'objectif de ces séminaires est de donner un aperçu des évolutions récentes réalisées en micro-électronique et particulièrement sur les technologies avancées. Ces séminaires sont donnés par des experts industriels travaillant sur des technologies silicium avancées telles que le SOI, FDSOI ou le SiGE.
Contact Florence PODEVIN, Sylvain BOURDEL, Laurent AUBARD, Sylvain ENGELSContenu(s)
Le FDSOI
*Les enjeux du FDSOI
*La technologie
*La Back-Gate et la tension de seuil
*Applications du FDSOI dans des circuits spécifiques
Le Modèle UTSOI
*Les différents modèle du MOS
*La spécificité de l'UTSOI
*Les effets canaux et leur modélisation
*Modélisation pour le FDSOI
Le Bipolaire
*Enjeux des filière Bipolaire et BiCMOS
*La technologie Bipolaire B55
*Modélisation du Bipolaire
*Evolution et tendance
Prérequis
Physique du Composant
Base de la Microélectronique
Contrôle des connaissances
Une évaluation écrite à la fin de chaque séance de 4 heures (E1, E2 et E3). La note finale est la moyenne de ces trois évaluation. Modalité (avec ou sans document, avec ou sans calculatrice) au choix de l'intervenant industriel.
Pas de rattrapage possible.
CC1=(E1+E2+E3)/3