Séminaires : Standard and alternative microelectronics technologies (UGA) - 5PMRSEM6

Informations générales

  • Volumes horaires

    • CM 6.0
    • Projet 0
    • TD 6.0
    • Stage 0
    • TP 0
    • DS 0

    Crédits ECTS

    Crédits ECTS 0.5

Objectif(s)

L'objectif de ces séminaires est de donner un aperçu des évolutions récentes réalisées en micro-électronique et particulièrement sur les technologies avancées. Ces séminaires sont donnés par des experts industriels travaillant sur des technologies silicium avancées telles que le SOI, FDSOI ou le SiGE.

Contact Sylvain ENGELS, Laurent AUBARD, Sylvain BOURDEL, Florence PODEVIN

Contenu(s)

Le FDSOI
*Les enjeux du FDSOI
*La technologie
*La Back-Gate et la tension de seuil
*Applications du FDSOI dans des circuits spécifiques

Le Modèle UTSOI
*Les différents modèle du MOS
*La spécificité de l'UTSOI
*Les effets canaux et leur modélisation
*Modélisation pour le FDSOI

Le Bipolaire
*Enjeux des filière Bipolaire et BiCMOS
*La technologie Bipolaire B55
*Modélisation du Bipolaire
*Evolution et tendance



Prérequis

Physique du Composant
Base de la Microélectronique

Contrôle des connaissances

Pour les MT : mode validé/non validé
Une évaluation écrite à la fin de chaque séance de 4 heures (E1, E2 et E3). La note finale est la moyenne de ces trois évaluation. Modalité (avec ou sans document, avec ou sans calculatrice) au choix de l'intervenant industriel.
Pas de rattrapage possible.

CC1=(E1+E2+E3)/3



Informations complémentaires

Le cours vaut 1.0 ECTS pour les étudiants du cursus 3A Ingénieur par l'apprentis. MT

Cursus ingénieur->Apprentissage MT->Semestre 9