5PMNPDS3 : Physics of defects in semiconductors - WPMNDPD3

Informations générales

  • Volumes horaires

    • CM 9.0
    • Projet 0
    • TD 9.0
    • Stage 0
    • TP 0

    Crédits ECTS

    Crédits ECTS 1.5

Objectif(s)

Comprendre l'impact, la modélisation et la caractérisation des défauts dans les composants électroniques

Contact Benoit BOULANGER, Quentin RAFHAY, Lionel BASTARD

Contenu(s)

Ce cours détail la physique des défauts à l'intérieur des composants électroniques, d'un point de vue fondamental (modélisation, équation), mais aussi au travers de l'exposition des méthodes de caractérisation des pièges, qui renseignent sur le comportement de ces défauts dans les composants



Prérequis

Physique du composants de base ( capa MOS, jonction pn, diagramme de bande, physique des semiconducteurs).

Contrôle des connaissances

SESSION NORMALE :
Types d'évaluation : DS
Evaluation rattrapable : DS

  • duree : 2h
  • documents autorisés : oui
  • calculatrices autorisées : oui
  • possible en distanciel : oui

SESSION DE RATTRAPAGE : DS
Evaluation : DS

  • duree : 2h
  • documents autorisés : oui
  • calculatrices autorisées : oui
  • possible en distanciel : oui


Informations complémentaires

Cursus ingénieur->Double-Diplômes Ingénieur/Master->Semestre 9
Cursus ingénieur->Masters->Semestre 9

Bibliographie

SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE CHARACTERIZATION
Dieter K Schroder