Volumes horaires
- CM 0
- Projet 0
- TD 0
- Stage 0
- TP 8.0
- DS 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 0.5
Objectif(s)
Mettre en évidence expérimentalement les caractéristiques des effets parasites présent dans les MOSFET sub-micronique
Contact Maryline BAWEDINContenu(s)
- Introduction aux simulations numériques TCAD des MOSFETs à l'état de l'art
- Caractéristiques des effets de canal court utilisant la mesure I-V
- Extraction de paramètres physiques typiques (tension de seuil, mobilité, etc.)
- Etablissement des liens entre les simulations 2D/3D et le comportement IV électrique
Prérequis
Caractérisation électrique par méthode I-V
Contrôle des connaissances
Les étudiants peuvent choisir : Rapport de laboratoire conventionnel ou évaluation orale à la fin de la séance
100% rapport
Informations complémentaires
Cursus ingénieur->Filière IPhy->Semestre 9
Cursus ingénieur->Double-Diplômes Ingénieur/Master->Semestre 9