Volumes horaires
- CM 20.0
- Projet 0
- TD 14.0
- Stage 0
- TP 28.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.5
Objectif(s)
Ce cours est une introduction à l’intégration des interfaces radiofréquences en technologies silicium BiCMOS submicroniques. Le but du cours est d’introduire les contraintes d’un système RF en terme de non linéarités et de bruit et d’optimiser les cellules critiques intervenant dans le front end RF aux vues de ces contraintes.
Contact Sylvain BOURDELContenu(s)
- Généralités sur le traitement analogique du signal en RF Concepts de base en RF
- Principales unités de mesure utilisées en RF
- transformation d’impédance en bande étroite
- non-linéarités (IIP3) et facteur de bruit (NF)
- Technologie et modélisation des composants intégrés pour la RF
- composants actifs (MOS et Bipolaires)
- composants passifs (résistance, capacité, inductance)
- Méthodologie de conception des fonctions analogiques RF
- Amplificateurs faible bruit (LNA)
- Mélangeurs
- Oscillateurs contrôlés en tension (VCO) pour la synthèse de fréquence.
- Amplificateurs d’émission (ou de puissance)
- Architecture des systèmes RF
- Architecture heterodyne, zero-if, low IF
- Rejection d'image et filtre polyphase
- Application spécifiques
- RFID
- UWB
Prérequis
- Cours de fonctions analogiques intégrées (FAI) de 2ème année
- ou une bonne connaissance de l’analogique intégrée.
- Transmissions numériques
Contrôle des connaissances
1 Examens Ecrit (DS)
6 comptes rendus (CTP)
N1=75%EXAMEN1+25%TP
N2=75%EXAMEN2+25%TP
Bibliographie
- Benzad RAZAVI : « RF Microelectronics », Prentice Hall (1998) , ISBN : 0-13-887571-5
- Thomas H. LEE : « The design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits» Cambridge University Press,