Dispos CMOS avancés (avec TP simu) NTK - 4PUTCMO1

Objectif(s)

L'objectif de ce cours est de présenter la physique des dispositifs MOS avancés et quelques architectures de dispositifs avancés, en particulier les transistors double-grille sur silicium sur isolant.

Contenu(s)

Courant sous le seuil du transistor
Effets de canaux cours
Transistors sur silicium-sur-isolant
Transistors double-grille
Architectures MOS avancées
Des liens vers la fabrication et les solutions technologiques pour améliorer les performances électriques seront faits pendant tout le cours.
Simulations TCAD

Physique du solide
Physique des semiconducteurs
Physique des composants à semiconducteurs
Technologie microélectronique

Contrôle des connaissances

En présentiel SESSION1 :
Type d'évaluation : Devoir Surveillé écrit 90% + contrôle continu 10% (irrattrapable)
Pour le DS: Durée : 2h. Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée

Session 2 condition normale :DS écrit de rattrapage + contrôle continu de la 1ere session
Pour le DS : Durée : 2h. Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée

Informations complémentaires

Bibliographie

Physique des semiconducteurs et des composants électronique - Henry Mathieu - Dunod
Fundamentals of carrier transport - Mark Lundstrom - Cambridge university press
Semiconductor devices physics and technology - Sze