Volumes horaires
- CM 8.0
- Projet 0
- TD 8.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
L'objectif de ce cours est de présenter la physique des dispositifs MOS avancés et quelques architectures de dispositifs avancés
Contact Irina IONICAContenu(s)
Transport dans les canaux longs et courts
Effets de canaux cours
Effets quantiques dus au confinement transverse
Architectures MOS avancées
Prérequis
Physique du solide
Physique des semiconducteurs
Physique des composants à semiconducteurs
Technologie microélectronique
Contrôle des connaissances
Semestre 8 - L'examen existe uniquement en anglais 
Mise à jour 28.05.2024
En présentiel SESSION1 :
Type d'évaluation : Devoir Surveillé écrit 90% + contrôle continu 10% (irrattrapable)
Durée : 2h
Modalités : Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée
Session 2 condition normale :
Type d'examen : DS écrit de rattrapage + contrôle continu de la 1ere session
Durée :2h
Modalités : Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée
Session 1 condition confinement : mêmes qu’en présentiel, avec DS en ligne et surveillance par zoom
Session 2 condition confinement : mêmes qu’en présentiel, avec DS en ligne et surveillance par zoom
session 1 condition normale : 90% DS + 10% CC
session 2 condition normale : 90% DS rattrapage + 10% CC de la session 1
session 1 condition confinement : mêmes qu’en présentiel
session 2 condition confinement : mêmes qu’en présentiel
Informations complémentaires
Semestre 8 - Le cours est donné uniquement en anglais
Cursus ingénieur->Filière NANOTECH->Semestre 8
Bibliographie
Physique des semiconducteurs et des composants électronique - Henry Mathieu - Dunod
Fundamentals of carrier transport - Mark Lundstrom - Cambridge university press
Semiconductor devices physics and technology - Sze