Volumes horaires
- CM 8.0
- Projet 0
- TD 8.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
L'objectif de ce cours est de présenter la physique des dispositifs MOS avancés et quelques architectures de dispositifs avancés, en particulier les transistors double-grille sur silicium sur isolant.
Contact Panagiota MORFOULI, Irina IONICA, Clemens WINKELMANNContenu(s)
Courant en état off du transistor
Effets de canaux cours
Transistors sur silicium-sur-isolant
Transistors double-grille
Architectures MOS avancées
Des liens vers la fabrication et les solutions technologiques pour améliorer les performances électriques seront faits pendant tout le cours.
Prérequis
Physique du solide
Physique des semiconducteurs
Physique des composants à semiconducteurs
Technologie microélectronique
Contrôle des connaissances
Semestre 8 - L'examen existe uniquement en anglais 
En présentiel SESSION1 :
Type d'évaluation : Devoir Surveillé écrit 90% + contrôle continu 10% (irrattrapable)
Pour le DS: Durée : 2h. Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée
Session 2 condition normale :DS écrit de rattrapage + contrôle continu de la 1ere session
Pour le DS : Durée : 2h. Tous documents interdits. Seul un formulaire sera distribué avec le sujet de DS.
Calculatrice : autorisée
Session 1 condition confinement : mêmes qu’en présentiel, avec DS en ligne et surveillance par zoom
Session 2 condition confinement : mêmes qu’en présentiel, avec DS en ligne et surveillance par zoom
session 1 condition normale : 90% DS + 10% CC
session 2 condition normale : 90% DS rattrapage + 10% CC de la session 1
session 1 condition confinement : mêmes qu’en présentiel
session 2 condition confinement : mêmes qu’en présentiel
Informations complémentaires
Semestre 8 - Le cours est donné uniquement en anglais
Cursus ingénieur->Filière NANOTECH->Semestre 8
Bibliographie
Physique des semiconducteurs et des composants électronique - Henry Mathieu - Dunod
Fundamentals of carrier transport - Mark Lundstrom - Cambridge university press
Semiconductor devices physics and technology - Sze