Volumes horaires
- CM 18.0
- Projet 0
- TD 22.0
- Stage 0
- TP 24.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 3.0
Objectif(s)
Partie I : modélisation des composants (28h CTD + 4h tutorat)
Partie II : réalisation et caractérisation (8h CTD + 16h TP salle blanche + 8h TP caractérisation électrique)
Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux opérations technologiques ainsi qu’à la modélisation physique des différents phénomènes physiques intervenant pendant l'élaboration des composants de circuits intégrés (filière NMOS), en lien avec les TPs salle blanche et la caractérisation électrique.
Contact Panagiota MORFOULI, Irina IONICAContenu(s)
Partie I : modélisation des composants (28h CTD + 4h tutorat)
Partie II : réalisation et caractérisation (8h CTD + 16h TP salle blanche + 8h TP caractérisation électrique)
Présentation introductive d'une intégration CMOS et d'une salle blanche ; Les traitements thermiques ; Les dépôts (CVD, pulvérisation, évaporation, ..) ; Le dopage (implantation ionique, diffusion) ; La lithographie ; La gravure ; Intégration filière.
TP de fabrication microélectronique en salle blanche
TP de caractérisation électrique de différents composants actifs (capacités MOS, transistors, jonctions PN)
Prérequis
physique des semiconducteurs
Contrôle des connaissances
Détail de calcul de la note de contrôle continu : 20% CC cours dispositifs (partie I) + 80% CC fabrication & caractérisation (partie II)
Modalités pour le contrôle continu de la partie II : pour 30% TP salle blanche + 20% TP caractérisation + 30% devoir maison cours techno