Physics of semiconductors & semiconductors devices - 4PMBPSS4
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Volumes horaires
- CM : 20.0
- TD : 12.0
- TP : 0
- Projet : 0
- Stage : 0
Crédits ECTS : 3.0
Objectifs
Connaître les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les capteurs ou les composants de la microélectronique.
Comprendre le principe de fonctionnement de composants électroniques de base : jonction PN, capacité MOS, transistor MOS.
Contact Laurent MONTES
Contenu - Propriétés élémentaires des semiconducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
- Équation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
- Perturbations faibles de l'équilibre : transport de charges (conduction, mobilité des porteurs, diffusion, effet Hall)
- Perturbations fortes de l'équilibre (génération et recombinaison de porteurs)
Principes de fonctionnement et caractéristiques électriques de composants électroniques de base : - Jonction PN
- Capacité MOS
- Transistor MOS
PrérequisNotions de base en :
- Physique quantique
- Physique statistique
- Physique du solide (propriétés électroniques, bandes d'énergie, porteurs de charge)
Contrôles des connaissances Semestre 7 - L'examen existe uniquement en anglais 
Cours et documents interdits
calculatrice autorisée
1 fiche de formule autorisée
Examen Final 100%
Informations complémentaires Semestre 7 - Le cours est donné uniquement en anglais 
Cursus ingénieur->Filières->Semestre 7
Bibliographie A. Vapaille et R. Castagné : Dispositifs et circuits intégrés (Dunod, 1987)
H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
G. Streetman and S. Banerjee : Solid-state Electronic Devices (6th Ed., Prentice Hall,2005)
S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).
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