Volumes horaires
- CM 15.0
- Projet 0
- TD 19.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
Comprendre les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique.
Contact Nathalie MATHIEUContenu(s)
- Propriétés élémentaires des semiconducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
- Équation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
- Jonction PN à l'équilibre
- Perturbations faibles de l'équilibre : transport de charges (conduction, mobilité des porteurs, diffusion)
- Perturbations fortes de l'équilibre (génération et recombinaison de porteurs)
- Contact métal-semiconducteur
Prérequis
- Équations différentielles
- Bases de physique
Contrôle des connaissances
En présentiel
SESSION NORMALE :
Types d'évaluation : Examen écrit
*Évaluation rattrapable :*
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 2h
Documents autorisés : formulaire A4 RV manuscrit autorisé
Documents interdits : autres documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
SESSION DE RATTRAPAGE :
Types d'évaluation : Examen écrit
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 1h30
Documents autorisés : formulaire A4 RV manuscrit autorisé
Documents interdits : autres documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
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Contrôle continu : CC
Examen écrit Session1 : DS1
Examen écrit Session 2 : DS2
1 et 2 après type = session
N1 = Note finale session 1
N2 = Note finale session 2
En présentiel :
N1 = 100% DS1
N2 = 100% DS2
Bibliographie
H. MATHIEU, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
G. STREETMAN and S. BANERJEE, Solid-State Electronic Devices (Prentice Hall, 2005)