Informations générales
Volumes horaires
- CM 15.0
- Projet 0
- TD 19.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTSCrédits ECTS
2.0
Objectif(s)
Comprendre les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semiconducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les composants de la microélectronique.
Contact Nathalie MATHIEUContenu(s)
- Propriétés élémentaires des semiconducteurs à l'équilibre (structures, bandes d'énergie, électron et trou, dopage)
- Équation de Poisson et conséquences (zone de charge d'espace, barrière ou puits de potentiel)
- Jonction PN à l'équilibre
- Perturbations faibles de l'équilibre : transport de charges (conduction, mobilité des porteurs, diffusion)
- Perturbations fortes de l'équilibre (génération et recombinaison de porteurs)
- Contact métal-semiconducteur
Prérequis
- Équations différentielles
- Bases de physique
Contrôle des connaissances
En présentiel
SESSION NORMALE :
Types d'évaluation : Examen écrit
*Évaluation rattrapable :*
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 2h
Documents autorisés : formulaire A4 RV manuscrit autorisé
Documents interdits : autres documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
SESSION DE RATTRAPAGE :
Types d'évaluation : Examen écrit
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 1h30
Documents autorisés : formulaire A4 RV manuscrit autorisé
Documents interdits : autres documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
-------------------------------------------------------------------------
Contrôle continu : CC
Examen écrit Session1 : DS1
Examen écrit Session 2 : DS2
1 et 2 après type = session
N1 = Note finale session 1
N2 = Note finale session 2
En présentiel :
N1 = 100% DS1
N2 = 100% DS2
Bibliographie
H. MATHIEU, Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Dunod, 2004)
G. STREETMAN and S. BANERJEE, Solid-State Electronic Devices (Prentice Hall, 2005)