Volumes horaires
- CM 20.0
- Projet 0
- TD 0
- Stage 0
- TP 4.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.5
Objectif(s)
- Comprendre les modèles de base de chacun des principaux composants de la microélectronique moderne.
- Connaître les effets spécifiques liés à la miniaturisation.
Contenu(s)
- Structures MIS (idéale ou réelle), Capacités MOS ; CCD
- Transistors à effet de champ : MOSFET, fonctionnement, modèles et extraction de paramètre.
- Quelques notions sur les transistors JFET, MESFET
- Jonction p-n ; modèles idéal et réel ;
- Quelques applications ; Zener ;IMPATT ; pin ; photodiodes et cellules photovolatïques.
Prérequis
Contrôle des connaissances
Examen écrit : 2h
Bibliographie
A. Vapaille et R. Castagne : Dispositifs et circuits intégrés (Dunod, 1987).
H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques (Masson, 1996)
S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).