Volumes horaires
- CM 9.0
- Projet 0
- TD 9.0
- Stage 0
- TP 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.5
Objectif(s)
Ce cours a pour objectifs de comprendre la modélisation et la caractérisation des défauts dans les composants à semiconducteurs, source de nombreuses source de dégradation dans ces dispositifs. Ces défauts apparaissent à la fois dans les technologies CMOS, mais aussi imageurs, détecteurs.
Contact Quentin RAFHAYContenu(s)
- Rappels du fonctionnenement de base des composants à SC au travers de l'usage de diagramme de bande
- Rappels des défauts dans les semiconducteurs (état dans le gap, G-R SRH, nature des pièges)
- Caractérisation par des réponses harmoniques
- Caractérisation par des réponses impulsionel
- Bruit basse fréquence, concepts généraux et applications aux transistors MOS
Prérequis
Physique des composants à semiconducteur (diode, Capa MOS, MOSFET)
Base des réponses temporels des signaux et des filtres.
Contrôle des connaissances
SESSION NORMALE :
Types d'évaluation : DS
Evaluation rattrapable : DS
- duree : 2h
- documents autorisés : oui
- calculatrices autorisées : oui
- possible en distanciel : oui
SESSION DE RATTRAPAGE : DS
Evaluation : DS
- duree : 2h
- documents autorisés : oui
- calculatrices autorisées : oui
- possible en distanciel : oui
Examen écrit Session 1 : DS1
Examen écrit Session 2 : DS2
N1 = Note finale session 1 = 100% DS1
N2 = Note finale session 2 = 100% DS2
Informations complémentaires
Cursus ingénieur->Filière IPhy->Semestre 9
Cursus ingénieur->Double-Diplômes Ingénieur/Master->Semestre 9
Bibliographie
SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICE CHARACTERIZATION
Dieter K Schroder