L’objectif du cours est de modéliser les phénomènes physiques qui interviennent lors de la mise en forme du semi-conducteur pour la fabrication de composants électroniques. Cela inclut la micro-électronique, mais aussi les cellules photovoltaïques et les diodes électroluminescentes pour l’éclairage solide. Les processus étudiés sont essentiellement la diffusion solide, l’implantation ionique, les défauts profonds et les couches formées par interdiffusion (SiO2, siliciures, carbures…). Les phénomènes sont illustrés dans le cas du silicium, principalement, et de semi-conducteurs « alternatifs » (SiC, GaN, diamant, …).
Contact Etienne GHEERAERTUn polycopié complet du cours est disponible en anglais.
Le sujet de l'examen est disponible en français et anglais, et l'étudiant peut rédiger ses réponses en français ou anglais.
Cristallographie : Structure cristalline
Thermodynamique : notion d’énergie libre, enthalpie et entropie.
Physique des semiconducteurs : diagramme de bande, dopage, niveaux d’énergie.
Devoir surveillé de 2h00. Le sujet de l'examen est disponible en français et anglais, et l'étudiant peut rédiger ses réponses en français ou anglais.
Le contrôle continu consiste en la présentation par groupe de 2 ou 3 du résumé d'un article scientifique.
N1=10%CC+90%EXAM1, N2=EXAM2
A full course handout in English is available.
mise à jour le 18 mars 2019
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