Volumes horaires
- CM 12.0
- Projet 0
- TD 10.0
- Stage 0
- TP 4.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 1.5
Objectif(s)
Connaître les phénomènes physiques qui se manifestent dans les matériaux semi conducteurs et qui sont utilisés pour réaliser les capteurs ou les composants de la microélectronique.
Contact Nathalie MATHIEUContenu(s)
Chap.1: Propriétés élémentaires des semi conducteurs à l'équilibre (bandes d'énergie, électron et trou, dopage, niveau de Fermi)
Chap.2: Perturbations faibles de l'équilibre : transport de charges (conduction, mobilité des porteurs; diffusion)
Chap.3: Perturbations fortes de l'équilibre : génération et recombinaison de porteurs, quasi-niveau de Fermi, pièges et modèle SRH.
Chap. 4: Diagrammes de bandes d'énergie - Exemple de la jonction PN, Contact métal - semi conducteur
Prérequis
Physique du solide (notion de réseau réciproque, bandes d'énergie, ...)
Notions sur les charges, l'équation de Poisson, les distributions (Fermi-Dirac, Boltzman, ...).
Contrôle des connaissances
En présentiel
SESSION NORMALE :
Types d'évaluation : Examen écrit
*Évaluation rattrapable :*
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 2h
Documents autorisés : aucun
Documents interdits : tous documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
Commentaire : formulaire fourni avec le sujet
SESSION DE RATTRAPAGE :
Types d'évaluation : Examen écrit ou oral
Type d'évaluation : Examen écrit
Durée : 2h
Documents autorisés : aucun
Documents interdits : tous documents interdits
Calculatrice : autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
Commentaire : formulaire fourni avec le sujet
Type d'évaluation : Oral
Durée : 30 min
Documents autorisés : aucun
Documents interdits : autres documents interdits
Calculatrice : calculatrice autorisée, modèle validé par Phelma
Possible en distanciel : non
Contrôle continu : CC
Examen écrit Session1 : DS1
Examen écrit ou oral Session 2 : DS2
1 et 2 après type = session
N1 = Note finale session 1
N2 = Note finale session 2
En présentiel :
N1 = 100% DS1
N2 = 100% DS2
Bibliographie
En Anglais:
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S.M. SZE: Semiconductor devices : physics and technology international student version
(3rd Edition, Wiley, 2013) ISBN : 978-0-470-87367-0
Disponible BU Joseph-Fourier, Techniques rdc Sud 621.382 SZE
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S.M. SZE: Physics of semiconductor devices
(3rd Edition, 2007), ISBN : 0-471-14323-5
BU Joseph-Fourier, Recherche étage Sud 537.311.322 SZE
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G. Streetman and S. Banerjee : Solid-state Electronic Devices
(6th Ed., Prentice Hall,2005) ISBN : 0-13-025538-6
En Français:
A. Vapaille et R. Castagné : Dispositifs et circuits intégrés
(Dunod, 1987) ISBN : 2-04-019714-1
Phelma - bibliothèque Salle lecture D00-VAP
H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques
(5eme édition, Dunod, 2004) ISBN : 2-10-048633-0
BU Joseph-Fourier, Techniques rdc Sud 621.38 MAT