Volumes horaires
- CM 4.0
- Projet 0
- TD 4.0
- Stage 0
- TP 24.0
- DS 0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux opérations technologiques ainsi qu’à la modélisation physique des différents phénomènes physiques intervenant pendant l'élaboration des circuits intégrés (filière NMOS), en lien avec les TPs salle blanche et caractérisation électrique.
Contact Panagiota MORFOULI, Irina IONICAContenu(s)
Présentation introductive d'une intégration CMOS et d'une salle blanche ; Les traitements thermiques ; Les dépôts (CVD, pulvérisation, évaporation, ..) ; Le dopage (implantation ionique, diffusion) ; La lithographie ; La gravure ; Intégration filière.
TP de fabrication microélectronique en salle blanche
TP de caractérisation électrique de différents composants actifs (capacités MOS, transistors, diodes…)
Prérequis
Pour la partie CTD :
- session 1 sans/avec confinement : devoir maison DM
- session 2 sans/avec confinement : devoir maison DM
Pour la partie TP : compte-rendus
note finale = 1/5 DM + 2/5 CR salle blanche +2/5 CR carac elec
• S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).