Réalisation et caractérisation des composants actifs intégrés - 3PMRRCC4
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Volumes horaires
- CM : 4.0
- TD : 4.0
- TP : 24.0
- Projet : 0
- Stage : 0
- DS : 0
Crédits ECTS : 2.0
Objectifs
Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux opérations technologiques ainsi qu’à la modélisation physique des différents phénomènes physiques intervenant pendant l'élaboration des circuits intégrés (filière NMOS), en lien avec les TPs salle blanche et caractérisation électrique.
Contact Panagiota MORFOULI,
Irina IONICA
Contenu Présentation introductive d'une intégration CMOS et d'une salle blanche ; Les traitements thermiques ; Les dépôts (CVD, pulvérisation, évaporation, ..) ; Le dopage (implantation ionique, diffusion) ; La lithographie ; La gravure ; Intégration filière.
TP de fabrication microélectronique en salle blanche
TP de caractérisation électrique de différents composants actifs (capacités MOS, transistors, diodes…)
Prérequis
Contrôles des connaissances Pour la partie CTD :
- session 1 sans/avec confinement : DM
- session 2 sans/avec confinement : DM
Pour la partie TP : compte-rendus
note finale = 1/5 DM + 2/5 CR salle blanche +2/5 CR carac elec
Informations complémentaires Cursus ingénieur->Apprentissage MT->Semestre 5
Bibliographie • S.M. Sze : Semiconductor devices: Physics and Technology (2nd Ed., J. Wiley, 2002).
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mise à jour le 27 juin 2014