BE Caractérisation électrique - 5PMNTPE0
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Volumes horaires
- CM : 0
- TD : 0
- TP : 8.0
- Projet : 0
- Stage : 0
- DS : 0
Crédits ECTS : 0.5
Objectifs
Mettre en évidence expérimentalement les caractéristiques des effets parasites présent dans les MOSFET sub-micronique
Contact Maryline BAWEDIN
Contenu - Introduction aux simulations numériques TCAD des MOSFETs à l'état de l'art
- Caractéristiques des effets de canal court utilisant la mesure I-V
- Extraction de paramètres physiques typiques (tension de seuil, mobilité, etc.)
- Etablissement des liens entre les simulations 2D/3D et le comportement IV électrique
PrérequisCaractérisation électrique par méthode I-V
Contrôles des connaissances Les étudiants peuvent choisir : Rapport de laboratoire conventionnel ou évaluation orale à la fin de la séance
100% rapport
Informations complémentaires Cursus ingénieur->Filières->Semestre 9
Cursus ingénieur->Double-Diplômes Ingénieur/Master->Semestre 9
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