Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux opérations technologiques pour l'élaboration des circuits intégrés (filière NMOS). Le cours magistral donnera les éléments préliminaires nécessaires à la compréhension des étapes technologiques mises en place lors des TP. Les TPs comprennent une partie de fabrication de dispositifs en salle blanche et une partie mesure des caractéristiques électriques.
L'étudiant sera confronté avec les contraintes de travail dans une salle blanche et avec les technologie utilisé pour le traitement de l'air et des fluides d'une salle blanche.
Cours : principes, mécanismes et paramètres clé pour chaque étape technologique (oxydation, dépôts, dopage, gravure, lithographie).
Séances de réalisation technologiques : les traitements thermiques ; les dépôts ; le dopage (implantation ionique, diffusion) ; la lithographie ; la gravure.
Caractérisation électrique : mesures C/V, I/V des capacités MOS, diodes PN, résistances intégrées.
Physique de base des dispositifs à semi-conducteur.
Pré requis
Pour la partie CM, session 1:
- En présentiel : contrôle continu (20% de la note CM) + exam de 30 minutes sans documents, sans calculettes (80% de la note CM)
Pour la partie CM, session 2 :
Pour les TPs:
Note finale = 0.5(2/3*SB+1/3*CE)+0.5 *note CM
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mise à jour le 13 mars 2019
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