Volumes horaires
- CM 8.0
- Projet 0
- TD 0
- Stage 0
- TP 12.0
Crédits ECTS
Crédits ECTS 2.0
Objectif(s)
Cet enseignement vise à familiariser les étudiants aux opérations technologiques pour l'élaboration des circuits intégrés (filière NMOS). Le cours magistral donnera les éléments préliminaires nécessaires à la compréhension des étapes technologiques mises en place lors des TP. Les TPs comprennent une partie de fabrication de dispositifs en salle blanche et une partie mesure des caractéristiques électriques.
L'étudiant sera confronté avec les contraintes de travail dans une salle blanche et avec les technologie utilisé pour le traitement de l'air et des fluides d'une salle blanche.
Contenu(s)
Cours : principes, mécanismes et paramètres clé pour chaque étape technologique (oxydation, dépôts, dopage, gravure, lithographie).
Séances de réalisation technologiques : les traitements thermiques ; les dépôts ; le dopage (implantation ionique, diffusion) ; la lithographie ; la gravure.
Caractérisation électrique : mesures C/V, I/V des capacités MOS, diodes PN, résistances intégrées.
Prérequis
Physique de base des dispositifs à semi-conducteur.
Pré requis
- Connaissance des principaux phénomènes de physique des semiconducteurs
- Etude du système MOS et de la jonction PN
- Electronique de base
Pour la partie CM, session 1:
- En présentiel : contrôle continu (20% de la note CM) + exam de 30 minutes sans documents, sans calculettes (80% de la note CM)
- En mode « à distance » : contrôle continu (25% de la note) + travail de groupe (25% de la note CM) + QCM en ligne (50% de la note)
Pour la partie CM, session 2 :
- en présentiel : exam de 30 minutes sans documents, sans calculettes (80% de la note CM)
- à distance : DM + 30 minutes orale en visio
Pour les TPs:
- En présentiel ou distanciel : un rapport à rendre pour la salle blanche, un rapport à rendre pour les séances de caractérisation électrique au plus tard une semaine après les dernières séances respectives.
Note finale = 0.5(2/3*SB+1/3*CE)+0.5 *note CM
Handouts